TCS1223
Dual Enhancement Mode Power MOSFET (N- and P- Channel)
产品描述
TCS1223采用先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷以及在低至2.5V栅极电压下即可正常工作的特性。该器件适用于负载开关或PWM应用。
主要特点
- P-Channel
- N-Channel
典型应用图
Dual Enhancement Mode Power MOSFET (N- and P- Channel)
TCS1223采用先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷以及在低至2.5V栅极电压下即可正常工作的特性。该器件适用于负载开关或PWM应用。
