TCS1116
100V P-Channnel Enhancement Mode MOSFET
产品描述
TCS1116采用先进的沟槽技术和设计，具有优异的RDS(ON)特性以及低栅极电荷，可广泛应用于多种场合。
主要特点
- VDS =-100VIDR=-16A
- DS(ON)(Typ.)=150mΩ @VGSR=-10V
- DS(ON)(Typ.)=200mΩ @VGS=-4.5V
- High power and current handing capability
- Lead free product is acquired
- Surface mount package
典型应用图
订购资讯
| Part Number | Storage Temperature | Package | Devices Per Reel |
|---|---|---|---|
| TCS1116_TC | -55°C to +150°C | TO-252-2L | 2500 |
